フロント・エンド・ULSIデバイスの提案 : MOSFETのHigh-Kゲート絶縁膜（HfO_2)の革新的作製方法を目指して
山口大学ベンチャービジネスラボラトリー年報 Volume 6
Page 43-43
published_at 2002
Title
フロント・エンド・ULSIデバイスの提案 : MOSFETのHigh-Kゲート絶縁膜（HfO_2)の革新的作製方法を目指して
Creators
松尾 直人
Source Identifiers
Languages
jpn
Resource Type
research report
Publishers
山口大学ベンチャービジネスラボラトリー
Date Issued
2002
File Version
Version of Record
Access Rights
open access
Schools
工学部