Study of ion bonberdment effect for Co-Cr films prepared by sputtering using electron cyclotron resonance microwave plasma
IEICE technical report. Magnetic recording Volume 96 Issue 166
Page 7-13
published_at 1996-07-19
Title
ECRスパッタ法によるCo-Cr垂直磁気異方性膜作成におけるイオン照射効果の検討
Study of ion bonberdment effect for Co-Cr films prepared by sputtering using electron cyclotron resonance microwave plasma
Abstract
ECRスパッタ法によりCo-Cr膜を作成したとき、その磁気特性と結晶学的特性は成膜中の基板を照射するイオン加速電圧に強く依存することか明らかとなった。このイオン加速電圧はArガス圧とターゲット-基板間距離により制御することができ、イオン加速電圧を20V以下に適正化した結果、50nmの厚さのCo-Cr膜で、優れた結晶配向性(5゜以下のΔθ_<50>)、高い垂直異方性磁界(4kOe以上のH_k)、高い垂直方向力(1400Oe以上のH_<c⊥>)が得ることができた。
Creators
佐藤 王高
Creators
松浦 満
Creators
廣野 滋
Creators
前田 安
Source Identifiers
[NCID] AN10013050
Creator Keywords
Cc-Cr
垂直磁気記録
記録媒体
ECRスパッタリソグ
イオン加速電圧
Languages
jpn
Resource Type
journal article
Publishers
電子情報通信学会
Date Issued
1996-07-19
File Version
Not Applicable (or Unknown)
Access Rights
metadata only access
Relations
[isVersionOf]
[NAID]110003186056
Schools
大学院理工学研究科（工学）